二硅化钨粉体 WSi₂ 硅化钨 高熔点硅化物 半导体薄膜 高温涂层 复相陶瓷 科研实验粉体

产品简介

二硅化钨（WSi₂）为蓝黑至黑灰色四方晶体粉末，属于高熔点难熔金属硅化物。导电性能优异，高温热稳定性强，高温环境表面生成二氧化硅防护层，抗氧化能力良好，与硅基体匹配性好，化学性质稳定。广泛用于半导体集成电路薄膜、高温防护涂层、复相金属陶瓷、磁控溅射靶材原料，可供高校实验室、新材料研发机构、微电子与特种陶瓷企业开展配方与烧结工艺研究。

分子式WSi₂

CAS：12039‑88‑2

熔点2165℃

密度9.88g/cm³。供货纯度98‑99.5%，微米、亚微米粒度可协商定制。

产品特点

粉体颗粒分布均匀，严格管控杂质，批次性能稳定

电阻率低，导电导热性能优良，高温电学性能稳定

熔点高，高温可形成自防护氧化膜，耐热抗氧化

和硅基基体适配性好，界面结合牢靠，热应力低

支持小样测试，纯度、粒度指标可沟通调整

小样、小批量、大批量均可供货

性能说明

二硅化钨硬度较高，不溶于水与王水，可被硝酸‑氢氟酸混合酸侵蚀。常作为导电增强相添加进陶瓷、钨基合金体系，改善材料导电能力与高温服役表现，适配热压烧结、常压烧结、热喷涂等多种加工工艺。

应用范围

微电子半导体：集成电路多晶硅分流层、欧姆接触薄膜、扩散阻挡层、磁控溅射靶材实验原料

高温防护涂层：钨基、钼基难熔构件抗氧化保护层，热端零部件表面防护

复相金属陶瓷：用作增强改性相，制备耐高温导电复相陶瓷坯体

高温功能材料：高温导电元器件、电阻涂层材料制备

科研实验：高校、研发机构用于硅化物合成、烧结工艺、新材料配方研发

采购须知

本产品支持小样试样，下单前可确认纯度、粒径等技术指标。产品建议密封存放于干燥阴凉环境，尽量避免长期敞口接触空气，降低氧化团聚风险。需要技术资料、样品以及报价，可联系客服咨询。